نشت گازهاي مختلف سمي و قابل اشتعال در محيط هاي كار و منازل مي تواند موجب وقوع حوادث غير قابل جبران، همچون فوت افراد يا ايجاد آتش سوزي در محيط گردد. شناسايي به موقع و سريع مي تواند از بروز خسارات جاني و مالي زيادي جلوگيري نمايد. با قرار دادن اين سنسور در مكان هاي مختلف اداري و كارخانه ها مي توان از كمترين حد وجود گازهاي مضر و خطرناك مطلع شده و از بروز حوادث گوناگون ممانعت به عمل آورد.

انتخاب‌پذيري پايين در حذف يون‌هاي فلزات سنگين مانند يون مس در پسابهاي صنعني و عدم استفاده مجدد سطوح جاذب جهت اين مهم و هزينه‌هاي تحميل شده بواسطه يكبار مصرف بودن سطوح جاذب مشكل اساسي استفاده از سطوح نانو مي‌باشد. در اين اختراع جهت افزايش جذب يون مس بر روي سطح اكسيد گرافن لازم است ميزان موثر ميدان الكتريكي تعيين شود. همچنين لازم است ميزان ميدان الكتريكي كه بيشترين واجذب يون مس از سطح اكسيد گرافن در آن صورت مي‌گيرد نيز تعيين شود. اين نقاط بهينه براي استفاده مجدد صفحات اكسيد گرافن در حذف يون مس و انتخاب‌پذيري بالاي آن موثر است. قبل از بررسي اثر ميدان الكتريكي در جذب يون مس بر روي صفحات گرافني (اختراع قبلي) و اكسيد گرافن، گزارشي در خصوص جذب يون‌ها در حضور ميدان الكتريكي خارجي در محيط محلول بررسي نشده است. در زير چندين تحقيق صورت گرفته در مورد اثر ميدان الكتريكي خارجي در جذب مولكول‌هاي گازي بر روي سطوح نانو معرفي مي‌شود. 1)\tاثر ميدان الكتريكي در جذب CO بر روي سطح گرافن و مكانيسم بهبود در تهييج گرافن توسط بخش شيمي دانشگاه Sungkyunkwan به خوبي شناخته شده است. در اين حالت ميدان الكتريكي خارجي به طور موثر مي‌تواند ساختار الكتروني و اتمي را اصلاح نموده و انرژي جذب CO را افزايش دهد. 2)\tاثر ميدان الكتريكي خارجي در جذب بيشتر اتم هيدروژن بر روي سطح كربن فعال پوشش داده شده با مواد دي الكتريك نظير دي اكسيد تيتانيوم و اكسيد منگنز و اكسيد روي توسط دانشمندان دانشگاه Michigan 3)\tجذب مولكول‌هاي گازهايي نظير (H2، O2، H2O، NH3، NO، NO2) در تك لايه MoS2 و بررسي پايدارترين مقدار جذب در مولكول‌هاي گاز در حضور يك ميدان الكتريكي توسط Yue در اين اختراع ميدان الكتريكي خارجي جهت افزايش ميزان جذب يون مس (п) توسط جاذب اكسيد گرافن به كار رفته است. با انجام آزمايشات مشاهده شد كه ميزان جذب يون مس در يك شرايط ثابت (pH ثابت، غلظت محلول ثابت، زمان همزدن 30 دقيقه و زمان قرارگيري در ميدان 15 دقيقه و فاصله بين صفحات ميدان الكتريكي خارجي ثابت، ميزان جاذب 01/0 گرم) نسبت به زماني كه ميدان الكتريكي وجود ندارد، افزايش پيدا مي¬كند. ولتاژ بهينه جهت جذب يون مس (II) در محلول توسط جاذب اكسيد گرافن در حضور ميدان الكتريكي60 كيلو ولت برمتر بدست آمد. 8-\tيون مس (II) در داخل محلول در تماس با جاذب اكسيد گرافن بدون حضور ميدان الكتريكي خارجي داراي جذب مي‌باشد. 9-\tميزان جذب يون مس (II) در تماس با جاذب اكسيد گرافن در زمان بهينه 30 دقيقه مشخص شد. 10-\tميزان جذب يون مس (II) در داخل محلول در تماس با جاذب اكسيد گرافن با اعمال ميدان الكتريكي تغيير مي‌يابد. 11-\tميزان جذب يون مس (II) در داخل محلول در تماس با جاذب اكسيد گرافن در ميدان الكتريكي 65 كيلو ولت بر متر بهينه مي¬باشد، يعني بيشترين ميزان جذب اتفاق مي¬افتد. 12-\tنتايج نشان داد كه جذب يون مس (II) بر روي اكسيد گرافن تحت تاثير ميدان الكتريكي 60 كيلو ولت بر متر از معادله فروندليش و لانگموئير پيروي مي‌كند. 13-\tميزان جذب يون مس (II) در داخل محلول در تماس با جاذب اكسيد گرافن با افزايش ميدان الكتريكي خارجي ازصفركيلو ولت بر متر تا 65 كيلو ولت برمتر افزايش مي¬يابد و در ميدان الكتريكي خارجي 65 كيلو ولت بر متر بيشترين ميزان جذب حاصل مي‌شود. در ميدان¬هاي بالاتر از 65 كيلو ولت بر متر، جذب كاهش مي¬يابد به شكلي كه كاهش جذب حتي از زماني كه ميدان الكتريكي خارجي حضور ندارد نيز بيشتر مي¬شود. ميزان جذب يون مس (II) در داخل محلول در تماس با جاذب اكسيد گرافن در غلظت ¬5 ميلي‌گرم بر ليتر در حضور ميدان الكتريكي خارجي بهينه (65 كيلو ولت بر متر) برابر 78/20 و همين ميزان جذب در عدم حضور ميدان الكتريكي خارجي برابر 11/11 بدست مي‌آيد كه مشاهده مي‌گردد افزايش ميزان جذب در حضور ميدان الكتريكي خارجي بهينه نسبت به عدم حضور ميدان الكتريكي خارجي به ميزان 87/1 برابر مي‌باشد. لذا به اين نتيجه مي¬رسيم كه مي¬توان از جاذب اكسيد گرافن به همراه ميدان الكتريكي، جهت جذب بيشتر يون مس با بهره مناسب استفاده نمود. چرا كه جاذب اكسيد گرافن در حضور ميدان الكتريكي خارجي غلظت بيشتري از يون مس (II) را جذب مي‌نمايد و غلظت يون مس (II) در محلول خروجي كاهش مي¬يابد¬. يعني باعث حذف فلز سنگين مس از داخل محلول خروجي و جذب¬ آن روي اكسيد گرافن مي¬شود و مجدداً با تنظيم ميدان الكتريكي 107 كيلو ولت بر متر بر روي جاذب اكسيد گرافن كه يون مس را جذب نموده سبب مي‌شود كه ميزان جذب به حدود 31/6 برسد. يعني مقدار يون مس جذب شده روي اكسيد گرافن در ميدان الكتريكي 107 كيلو ولت بر متر نسبت به جذب كامل در ميدان الكتريكي بهينه (65 كيلو ولت بر متر) 3/3 برابر كاهش مي¬يابد. توسعه شهرنشني و صنايع منجر به افزايش ميزان فاضلاب و پساب توليدي گرديده است. دفع ناقص و غير اصولي اين فاضلاب¬ها باعث ورود مقادير زياد فلزات سنگين به محيط ¬زيست شده است. آلودگي آب توسط فلزات سنگين يك مسئله زيست محيطي جهاني است كه به واسطه فعاليت¬هايي مانند بهره¬برداري از معادن، صنعتي شدن و شهر نشيني در سرتاسر كره زمين افزايش يافته است. امروزه با توجه به قوانين سخت¬گيرانه‌اي كه براي حفاظت از سلامت انسان و محيط زيست و نيز جبران كمبود منابع آب در دسترس اجتماعات تدوين شده، لازم است تدابيري اتخاذ گردد تا حذف آلاينده‌ها از تركيب فاضلاب و آبهاي آلوده انجام گيرد. روش¬هاي مختلفي براي بازيافت فلزات سنگين از فاضلاب توصيه شده است كه از ميان آنها مي¬توان به روش¬هايي نظير فيلتراسيون، اسمز معكوس، اكسيداسيون يا احياء شيميايي¬¬¬، كربن فعال، تبادل يوني، فرآيند¬هاي غشايي و جذب سطحي اشاره كرد. روش جذب سطحي به دليل عملكرد آسان، مصرف انرژي كم، نگهداري ساده، ظرفيت جذب زياد و كارايي بالا براي تصفيه آب و فاضلاب به طور گسترده مورد استفاده قرار گرفته است. يكي از جاذب‌¬هاي پر¬كاربرد، اكسيد گرافن است. اكسيد گرافن يك ماده متخلخل كربني است كه به دليل سطح ويژه بالا و ساختار منحصر بفرد داراي ويژگيهاي بسيار مناسب در حذف تركيبات مختلف است.¬ در اين اختراع بر اساس نتايج بدست آمده مشخص شد كه با به كار بردن ميدان الكتريكي خارجي 65 كيلو ولت بر متر به عنوان نقطه بهينه، بيشترين ميزان جذب به دست مي‌آيد. همچنين با تنظيم ميدان الكتريكي در حدود 107 كيلو ولت بر متر بر روي جاذب اكسيد گرافن كه يون مس را جذب نموده سبب مي‌شود كه ميزان جذب به كمترين حد خود برسد. اين نقاط بهينه براي استفاده مجدد صفحات گرافني در حذف يون مس و انتخاب‌پذيري بالاي آن موثر است. توضيحات بالا نشان مي‌دهد كه با به كاربردن ميدان الكتريكي خارجي بر روي سطوح جاذب اكسيد گرافن، تصفيه پسابهاي صنعتي كه يون مس بيشترين آلودگي آن مي‌باشد، به شكل مقرون به صرفه و با استفاده مجدد صفحات اكسيد گرافن قابل انجام مي‌باشد.