اختراع در جهت بهره‌گيري از نانولايه مس، براي رشد الماس بدون استفاده از سيدينگ اوليه الماس و در دماي و مدت زمان پايين‌تر از روش‎‌هاي معمول باعث كاهش هزينه توليد الماس مي شود. بررسي روي ضخامت‌هاي مختلف نانو لايه مسي به منظور امكان رشد اين ساختار صورت گرفت. براي ايجاد فيلم نازك مس از دستگاه لايه نشاني اسپاترينگ DC مگنترون استفاده گرديد. بسترهايي از جنس سيليكون در مدت زمان هاي مختلف داخل دستگاه قرار گرفتند تا ضخامت هاي مختلف نانومتري مس روي آنها نشست نمايد. سپس تمام نمونه ها داخل داستگاه PECVD روي كوره تحت شرايط يكسان قرار گرفتند. دماي بستر به 300 درجه سانتي‌گراد رسانيده شد و گاز متان به‌عنوان گاز حامل منبع كربن (عنصر سازنده الماس) و گاز نجيب آرگون به‌عنوان گاز رقيق كننده وارد محفظه شد. نتايج خواص و كيفيت نانوالماس رشد يافته در نمونه ها با روش پراش اشعه ايكس ( XRD) ، ميكروسكوپ الكتروني روبشي (SEM) و طيف سنجي فوتوالكترون (XPS ) اثبات و مورد بررسي قرار گرفت.