داشتن ولتاژ شكست بالا و مقاومت حالت روشن پايين مهمترين خواسته از ترانزيستورها در كاربردهاي قدرت مي باشد كه ترانزيستورهاي موجود اين امكان را دارند كه در اين موارد بهبود يابند. در اين اختراع يك ساختار جديد براي ترانزيستورهاي اثر ميدان فلز-اكسيد- نيمه هادي نفوذي افقي (LDMOS) ارائه شده است كه يكي از مهمترين كاربردهاي آن در تقويت كننده هاي قدرت RF مي باشد. با آناليزهاي فيزيكي و الكتريكي انجام گرفته، تغييراتي در سورس ترانزيستور صورت گرفته است كه كارايي ترانزيستور را به ميزان قابل توجهي افزايش مي دهد. اين تغيير بدين صورت مي باشد كه سورس ترانزيستور به دو قسمت نوع N و نوع P تقسيم شده است كه باعث مي گردد يك مينيمم محلي در دياگرام باند انرژي آن ايجاد شود كه در نتيجه آن حفره هاي اضافي ايجاد شده در كانال ترانزيستور تخليه مي شود. اين موضوع باعث مي گردد اثر بدنه شناور بسيار كاهش يابد. از ديگر مزاياي مهم اين ساختار، بهبود ميدان الكتريكي، افزايش ولتاژ شكست، كاهش مقاومت حالت روشن، كاهش دماي ماكزيمم الكترون و بهبود جريان درين در مقايسه با ساختار متداول مي باشد.