سلول¬هاي خورشيدي نقطه كوانتومي با ساختار نامتجانس لايه¬هاي FTO، تيتانيا، نقاط كوانتومي نوع-n و p و كاتد طلا ساخته شده¬اند. لايه نقاط كوانتومي PbS قلب اين سلول¬ها‌ را تشكيل مي‌دهند كه وظيفه جذب فوتون‌هاي نور، تبديل به جفت الكترون-حفره و انتقال آنها به الكترود‌هاي جانبي را بر‌عهده دارند. براي كاربرد نقاط كوانتومي در سلول¬هاي خورشيدي، ليگاندهاي بلند زنجيره سطح ذرات مي¬بايست با ليگاند‌هاي كوچكتر تعويض شوند كه اين عمل به روش لايه به لايه (LBL) انجام مي شود. فرايند سخت و زمانبر، اتلاف 99 درصدي مواد اوليه، اكسيداسيون ذرات و تشكيل ترك در لايه نقاط كوانتومي اين روش را با محدوديت¬هايي مواجه كرده¬اند. جهت رفع محدوديت¬هاي فوق، ساخت لايه نقطه كوانتومي سلول¬هاي خورشيدي به روش تك مرحله¬اي توسط جوهر نقاط كوانتومي معرفي شده¬است. پنج نوع سلول خورشيدي نقطه كوانتومي با ساختار اتصال نامتجانس n-p و n-i-p براي اولين بار در جهان، تماما با استفاده از جوهر نقاط كوانتومي و به روش يك مرحله¬اي ساخته شده¬اند. سلول خورشيدي نوع n-p ساخته شده با جوهر MPA بازده تبديل انرژي بيشتري نسبت به سلول هاي ساخته شده به روش LBL دارند و بيشترين ركورد بازده (3.49 %) براي سلول n-i-p ساخته شده توسط جوهر MAI بدست آمده¬است.

توليد نانوسرمت Al2O3-SiC-Ni در دماي پايين و با تجهيزات ساده سرمت‌ها به دليل خواص سايشي، استحكام و سختي بالا در بسياري از صنايع جايگزين سراميك‌هاي معمول شده و كاربردهاي گسترده‌اي در صنايع اتومبيل و هوا فضا، صنايع نظامي و ابزار برش يافته‌اند. دماي تف‌جوشي بالا و نياز به تجهيزات پيشرفته مانند پرس داغ و اتمسفر كنترل شده از جمله محدوديت‌هاي روش‌هاي مبتني بر متالورژي پودر براي توليد اين سرمت ها مي‌باشند. در اين پژوهش از يك ايده براي توليد نانوكمپوزيت‌هاي زمينه سراميكي Al2O3-SiC-Ni استفاده شده است. در اين روش ابتدا ذرات Al2O3 با لايه نازكي از Ni به وسيله روش الكترولس پوشش داده شدند و سپس پودرهاي پوشش داده شده طي فرايندهاي پرس سرد و تف‌جوشي به صورت نمونه‌هاي بالك در آمدند. در ادامه براي بهبود استحكام اين سرمت‌ها، نانو ذرات SiC با درصد‌هاي مختلف به سرمت افزوده شده است. نتايج نشان مي دهند كه در اين روش چون از تماس ذرات آلومينا به يكديگر حين زينترينگ ممانعت به عمل مي آيد مي توان دماي زينترينگ سرمت را از محدوده دمايي ˚C1400 به دماي حدودC ˚800 كاهش داد و لذا تف جوشي را با تجهيزات ساده تر و بدون اتمسفر كنترل شده انجام داد.

مواد پرانرژي شامل پودرهاي فلز آلومينيوم به طور وسيعي به عنوان نسل جديدي از مواد پرانرژي در حال گسترش مي باشند. با اين حال توليد و كاربرد اين مواد به دلايلي همچون تاخير طولاني در شروع احتراق و سرعت احتراق آهسته داراي محدوديت هايي مي باشد. در اين اختراع از دو ايده استفاده از پودرهاي نانو سايز آلومينيوم و پوشش دهي نانوذرات آلومينيوم با نيكل جهت بهبود رفتار احتراقي و افزايش راندمان اين نانو مواد پرانرژي استفاده شده است. پوشش دهي نيكل بروي نانو ذرات آلومينيوم بوسيله روش الكترولس و در حمام هيپوفسفيتي به صورت واكنش زير انجام مي شود: 3NaH2PO2 3H2O NiSO43NaH2PO3 H2SO4 2H2 Ni پوشش دهي ذرات آلومينيوم با نيكل باعث كاهش دماي احتراق، زمان احتراق و زمان تأخير در شروع احتراق و افزايش دماي شعله و انرژي احتراق نانوذرات آلومينيومي مي گردد. با توجه به اين قابليت هاي پودرهاي فلز آلومينيوم، اين مواد مي توانند به عنوان مواد پرانرژي قوي پايه TNT و پيوند يافته پليمري، مواد منفجره در انفجارهاي زير آب، سوخت جامد موشك ها، سرجنگي، آتش زنه ها، باروت ها، مواد انفجاري و همچنين مواد پيروتكنيك استفاده شوند.

نانوكامپوزيت هاي مغناظيسي زمينه اينترمتاليك permalloy تركيبات بين فلزي FeNi يا به اصطلاح permalloy بواسطه خواص مغناطيسي فوق العاده مورد توجه بوده اند، با اين حال اين مواد داراي خواص مكانيكي مناسبي نمي باشند. در اين اختراع، از دو ايده توليد زمينه permalloy نانوساختار و تقويت آن با نانوذرات آلومينا به روش سنتز درجاي نانو ذرات با استفاده از انجام واكنش هاي شيميايي به كمك انرژي مكانيكي، جهت بهبود خواص مكانيكي permalloy استفاده شده است. در اين روش مخلوط پودري شامل نسبت هاي اسنوكيومتري از پودرهاي آلومينيوم، اكسيد آهن و نيكل در محفظه واكنش قرارگرفته و با استفاده از انرژي مكانيكي آسياب مكانيكي، در اثر واكنش زير پودر نانوكامپوزيتي زمينه FeNi نانو ساختار توليد مي شود كه نانو ذرات تقويت كننده Al2O3 بصورت يكنواختي در آن توزيع يافته اند. Fe2O3 2Ni 2Al 2FeNi Al2O3 پودر هاي نانوكامپوزيتي توليد شده در ادامه تحت فرايند پرس سرد بصورت نمونه بالك درآمده و سپس دركوره خلا زينتر مي شوند. نانوكامپوزيت توليدشده بدليل خواص مكانيكي، الكتريكي و مغناطيسي فوق العاده مي تواند بعنوان ماده اوليه در بسياري از قطعات الكترونيكي و مغناطيسي مانند هسته هاي مغناطيسي، سنسورهاي مغناطيسي، ترانسفورماتورها، مبدل ها، محافظ مغناطيسي وغيره مورد استفاده قرار گيرد.