زمينه فني اين اختراع ساخت سلول هاي خورشيدي برپايه نقاط كوانتومي مي باشد. نقاط كوانتومي به عنوان جاذب نور خورشيد عمل مي كنند و انرژي خورشيدي را به انرژي الكتريكي تبديل مي نمايند. در اين كار از نقاط كوانتومي CdS/CdSe/ZnS استفاده شده است. هدف از اين اختراع افزايش راندمان سلول هاي مذكور مي باشد. روش هاي متفاوتي به منظور افزايش راندمان اين سلول خورشيدي انجام شده است كه از لحاظ اقتصادي مقرون به صرفه نيستند. در اين كار از آلاييدن يون نيكل (Ni2+)درون ساختار نقاط كوانتوميCdS بهره گرفته شده است. آلاييدن باعث مي شود تا شكاف انرژي (باند گپ) نيكل مابين شكاف انرژي نانوذرات CdS قرار گيرد و از اين رو بازگشت الكترون به نوار ظرفيت (والانس) نقاط كوانتومي را كاهش داده و به اين طريق باعث افزايش جريان خروجي از سلول مي گردد. بعد از بسته شده سلول با كاتد سولفيد مس و تزريق الكتروليت پلي سولفيد، آناليزهاي جريان-ولتاژ بر روي سلول انجام گرفت. ولتاژ مدار باز0/51 v و فاكتور انباشتگي 41 بدست آمد . بازدهي اين سلول 2/08 گزارش شد. جدول 1 پارامترهاي فوتوولتايك براي اين سلول ها را نشان مي دهد. شكل1 ، تصوير EDAX آند سلول خورشيدي مي باشد كه نشانگر حضور فلز نيكل در لايه نقاط كوانتومي است.