عنوان: كاهش نويز فاز اسيلاتورها توسط تقويت كننده هاي پارامتري تبهگني غير توزيع شده زمينه فني اختراع: برق-الكترونيك مشكل فني و اساس راه حل ارائه شده: در بسياري از سيستم هاي الكترونيكي خصوصاً فرستنده ها و گيرنده ها، اسيلاتورها نقش اساسي در عملكرد مدارات ايفا مي كنند. يكي از ملزومات سيستم ها داشتن اسيلاتورهايي با فركانس دقيق و ثابت و پايدار مي باشد. اما همه اسيلاتورهاي واقعي داراي نويز فاز مي باشد. حضور اين نويز فاز در بسياري از سيستم ها تأثير منفي بر عملكرد آن ها داشته و لذا همواره سعي بر اين بوده تا اسيلاتورهايي با نويز فاز بسيار پايين طراحي گردند. تا كنون روش هاي متعددي براي كاهش نويز فاز اسيلاتورها ارائه شده است. معمولاً اكثر اين روش ها منحصر به نوع خاصي از اسيلاتورها بوده و همه جا قابل استفاده نيستند. در اين اختراع ما براي اولين بار در دنيا با استفاده از تقويت كننده هاي پارامتري تبهگني غير توزيع شده حساس به فاز، روشي كاملاً جامع براي كاهش نويز فاز اسيلاتورها ارائه نموده ايم. در اين روش اسيلاتور به عنوان يك بلوك در نظر گرفته شده و سيگنال خروجي آن پس از عبور از يك تقويت كننده پارامتري تبهگني، در شرايطي خاص، نويز فاز آن به طور قابل توجهي كاهش مي يابد (شكل 1 در صفحه 3 توصيف اختراع). در اين اختراع ما با استفاده از تقويت كننده هاي پارامتري تبهگني غير توزيع شده، روشي جامع و نوين براي كاهش نويز فاز اسيلاتورها ارائه نموده ايم كه اين مشكل بزرگ را تا حد بسيار مطلوبي مرتفع نموده ايم. در اين اختراع از ويژگي حساس بودن به فاز اين نوع از تقويت كننده هاي پارامتري استفاده كرده و با بررسي نحوه عملكرد آن ها بر روي نويز فاز سيگنال وروديشان، ايده جديد كاهش نويز فاز را توسط آن ها ارائه نموده ايم. در اين اختراع ما با بررسي ساختارهاي تقويت كننده پارامتري تبهگني حساس به فاز پرداخته و روابط حاكم بر آنها را استخراج نموده و مدل تحليلي مناسبي ارائه نموده ايم. نتايج شبيه سازي نرم افزاري به خوبي صحت مدل تحليلي ارائه شده را تاييد نموده و ايده كاهش نويز فاز توسط آنان را به خوبي نشان مي دهند. روش مطرح شده كاملا عمومي بوده ودر همه تكنولوژيها قابل استفاده است خصوصا در تكنولوژي‌هاي مدار مجتمع كه ساخت مدار به طور يكپارچه بسيار حائز اهميت است كاربردي بوده و توسط آن مي توان اسيلاتورهاي با نويز فاز مناسب و كاملاً يكپارچه طراحي نمود.

‏\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\" طراحي سنسور ‏NBTI‏ با بررسي ميزان تغييرات زمان گذر \\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\" اختراعي در زمينه مهندسي برق ‏الكترونيك است. با توجه به كاهش اندازه ترانزيستور ها در تكنولوژي هاي جديد و بروز پديده هاي نوظهوري ‏از جمله \\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\"ناپايداري به خاطر تغذيه منفي و دما در ترانزيستورهاي ‏PMOS‏ \\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\\" يا همان ‏NBTI (Negative ‎Bias Temperature Instability)‎‏ ، عملكرد مطلوب مدارها در اثر گذر زمان دچار تخريب مي شود و به ‏اين ترتيب قابليت اعتماد ‏‎(Reliability)‎‏ در مدارهاي جديد كاهش مي يابد. به اين دليل وجود چنين ‏سنسورهايي بر روي تراشه الزامي است تا وضعيت مدار را از نقطه نظر تاثير اين پديده و پديده هاي مشابه در ‏طول عمر مدار بررسي كند و در مواقع بحراني كه عملكرد مدار در آستانه تخريب است هشدار لازم را بدهد تا ‏تصميمات لازم توسط بخشهاي ديگر تراشه اتخاذ و انجام شود.‏ از اين رو سنسور مورد نظر با پارامترهاي ارزنده اي از جمله مساحت و توان مصرفي كمتر ، زمان اندازه گيري ‏كمتر (سرعت بيشتر) و رزولوشن و بهره مطلوبي طراحي و شبيه سازي شده است و قابل استفاده در تمام ‏مدارهاي ديجيتال ‏CMOS‏ مي باشد