ترانزيستورهاي اثر ميداني نفوذي افقي با گيت ورقه ورقه شده فت هايي براي كاربردهاي افزاره هاي قدرت مي¬باشند كه تعداد گيت بيشتر در اطراف بدنه و داخل كانال سيليسيمي مزاياي آنها را براي استفاده در تكنولوژي ادوات قدرت بسيار مورد توجه قرار مي¬دهد، از جمله اين مزايا مي¬توان به مقاومت حالت روشن كم، كنترل بالاي گيت بر كانال، كاهش اثر خود گرمايي، افزايش ميزان جريان دهي افزاره در يك مقياس يكسان با ترانزيستورهاي متداول و توان اتلافي كم اشاره كرد. اگر چه تكنولوژي ترانزيستورهاي اثر ميدان نفوذي افقي مزاياي زيادي دارد اما معايبي نيز دارد. از جمله معايب آن مي¬توان به مقاومت حالت روشن بالا جهت داشتن ولتاژ شكست بالا، اثر خودگرمايي، جريان دهي كم جهت رسيدن به ولتاژ شكست بالا اشاره كرد. استفاده از ساختار ترانزيستورهاي اثر ميداني Fin در ترانزيستورهاي نفوذي افقي باعث بهتر شدن جريان دهي افزاره و كاهش مقاومت حالت روشن افزاره مي¬شود اما با اضافه كردن گيت ايزوله شده در ناحيه كانال در افزاره هاي نفوذي افقي و ايجاد لايه وارونه بيشتر كانال در حالت روشن منجر به كاهش هرچه بيشتر مقاومت كانال شده و لذا قابليت جريان دهي ترانزيستور نيز افزايش مي¬يابد. همچنين از آنجايي كه مقاومت افزاره كاهش مي¬يابد بحث خودگرمايي ناشي از مقاومت گرمايي نيز كاهش خواهد يافت. به اين ترتيب بخش عمده اي از چالشهاي تكنولوژي افزاره¬هاي نفوذي افقي قدرت به طور همزمان حل مي¬شود و اين نوع ترانزيستورها به افزاره¬هايي قابل اعتماد با طول عمر بيشتر و عملكرد بهتر تبديل خواهند شد و محدوديت¬هاي استفاده از اين نوع ترانزيستورها از بين مي¬رود. گيت اضافه شده در بخش كانال توسط اكسيدهايي به طول 100 nm از ناحيه رانشي و ناحيه N+ سورس ايزوله مي-شود. با اين نوع اصلاح در شكل كانال افزاره شاهد كاهش مقاومت حالت روشن، كاهش اثر خودگرمايي، افزايش قابليت جريان¬دهي افزاره، كاهش اتلاف افزاره در ساختار به طور همزمان خواهيم بود. اين ساختار براي اولين بار است كه روي ترانزيستور اثر ميداني نفوذي افقي ارائه شده است و با توجه به مزايايي كه دارد به عنوان كانديداي مناسبي براي ترانزيستورهاي قدرت محسوب مي¬شود.