يك ترانزيستور كه به DTD-SOI معروف است براي حذف اثر بدنه شناور معرفي شده است. ساختار پيشنهادي شامل يك گودال L شكل در ناحيه كانال و اكسيد مدفون است. وجود اين گودال منجر به شكل-گيري يك ديود تونلي ايساكي دوگانه در ساختار پيشنهادي مي¬شود. حفره¬هاي انباشته شده در بدنه به كمك دو مسير هوشمندي كه به¬ واسطه اين ديود تونلي ايساكي دوگانه به وجود مي آيند، با موفقيت آزاد مي¬شوند و عملكرد الكتريكي و حرارتي آن نسبت به ترانزيستور مرسوم و ترانزيستور هاي نوين ديگر بهبود مي يابد.