ميدان مغناطيسي به عنوان عنصر كليدي در صنايع مختلف مورد توجه است كه مي‌توان به تصويربرداري تشديد مغناطيسي ، ضربان‌سنجي مغناطيسي، بيومغناطيس، مطالعه مغناطيس‌سپهر و ... اشاره نمود. استفاده از سرعت نور در سنجش تغييرات، مزيت نرخ نمونه‌برداري و سرعت بالاي نانومواد مغناطيسي در برابر تغيير سريع ممان مغناطيسي مزيت افزوده حسگر است. نازك‌سازي فيبر نوري باعث افزايش ميرايي و نفوذ نور (ميدان ميرا) به محيط خارجي مي‌شود و با اندركنش ميدان با لايه پوششي، حساسيت در حسگر ايجاد مي‌شود. با توجه به نوع نازك‌شدگي، مي‌توان مد‌هاي انتشاري فيبر نوري را كنترل نمود. حسگر حاضر، مبتني بر تغيير شدت نور (ليزر نيمه‌هادي با طول موج 1550 نانومتر) بوده كه با فتوديود حساس در همان محدوده طول موجي سنجيده مي‌شود. براي حسگري ميدان مغناطيسي، پوشش ماده تعاملي دائمي لازم است. براي كنترل اندازه، لايه‌نشاني و استفاده از مزيت‌هاي گرافن، لايه نانوكامپوزيت گرافن-مگنتيت استفاده شد. با تغيير ميدان مغناطيسي، اندركنش‌هاي حوزه‌(يا تك‌حوزه)‌هاي مغناطيسي باعث تغيير ضريب شكست و شدت نور مي‌شود. فيبر نوري استفاده شده، تك‌مد به قطر پوسته 125 و هسته 9 ميكرون است كه به روش گرما-كششي نازك‌شده و حساسيت خطي (nW/mT ) 98.7 تا (nW/mT ) 324 را با واكنش سريع بدست مي‌دهد.