لیست اختراعات با مالکیت جواد ياوندحسني
2 عدد


ثبت :
از
تا
اظهارنامه :
از
تا

بازنشانی
تعداد موارد یافت شده: 2
تاریخ اظهارنامه: 1388/02/02
تاریخ ثبت: 1388/02/16
خلاصه اختراع:

پيشرفت تكنولوژي نيمه هادي CMOS در ساليان اخير طراحي و ساخت مدارات فركانس راديوئي در باند ميليمتري را در اين تكنولوژي امكان پذير نموده است. با توجه به ويژگيهاي منحصر به فرد تكنولوژي CMOS مانند قيمت بسيار كم توان مصرفي پايين و قابليت مجتمع سازي مدارات RF با پردازشگرهاي ديجيتال در يك تراشه اين تكنولوژي در باند ميليمتري اهميت خاصي پيدا كرده است. ما يك LNA در فركانس 30 گيگا هرتز را طراحي نموده و ساخته ايم. ساخت LNA در تكنولوژي COMOS 90nm Global Purpose شركت STMicroelectronics انجام شده است. در نتيجه استفاده از اصول و تكنيكهايي خاصي كه در طراحي اين LNA به كار برده ايم. توان مصرفي بسيار كم و سطح تراشه بسيار كوچك به دست آمده است. تكنيكهاي به كار رفته به طور خلاصه عبارتند از: - طراحي LNA به صورت يك طبقه Cascode - انجام مچينگ ورودي بدون استفاده از سلف Degenerate در سورس - طراحي و پياده سازي شبكه مچينگ ورودي و خروجي به صورت LC فشرده - استفاده از سلفهاي خط انتقال به جاي سلف فنري مرسوم در مدارات مجتمع - اتصال پله اي خاص از خطوط انتقال به پايه هاي ترانزيستور - استفاده از شبيه سازي ميدان الكترومغناطيسي به صورت تمام موج براي مدلسازي اثرات پارازيتي نتايج اندازه گيري نشان مي دهد كه LNA ساخته شده داراي بهره توان 10dB و عدد نويز 4/7dB مي باشد. LNA ساخته شده داراي توان مصرفي 4mW از منبع تغذ يه يك ولت و سطح تراشه 0/1mm2 مي باشد. LNA ساخته شده داراي كاربرد وسيعي از جمله رادارهاي باند ميليمتري تصويربرداري راديوئي شبكه هاي با نرخ داده بالا شبكه هاي سنسوري بي سيم و ارتباطات بي سيم مي باشد.

تاریخ اظهارنامه: 1388/02/02
تاریخ ثبت: 1388/02/16
خلاصه اختراع:

پيشرفت تكنولوژي نيمه هادي CMOS در ساليان اخير طراحي و ساخت مدارات فركانس راديويي در باند ميليمتري را در اين تكنولوژي امكان پذير نموده است. با توجه به ويژگيهاي منحصر به فرد تكنولوژي CMOS مانند قيمت بسيار كم توان مصرفي پايين و قابليت مجتمع سازي مدارات RF با پردازشگرهاي ديجيتال در يك تراشه اين تكنولوژي در باند ميليمتري اهميت خاصي پيدا كرده است. به دليل تلفات بالاي بستر نيمه هادي در تكنولوژي CMOS طراحي مدارك مچينگ با كيفيت بالا در اين تكنولوژي امري چالشي و حائز اهميت بسيار است. مدارات مچينگ در باند ميليمتري معمولا به صورت خطوط انتقال پياده سازي مي شوند. اما در تكنولوژيهاي CMOS مدرن امكان پياده سازي مدارات مچينگ در باند ميليمتري به صورت شبكه LC وجود دارد. به همين دليل القاگرهايي با ساختارهاي مختلف طراحي و ساخته شده اند كه از جمله مي توان به القاگرهاي فنري با دور كم و القاگرهاي ساخته شده به صورت خط ميكرو استريپ خم شده و القاگرهاي ساخته شده و به صورت خط COplanar اشاره نمود. القاگرهاي فنري داراي ضريب كيفيت پايين و سطح تراشه بالا هستند و مدلسازي و نتيجه طراحي آنها بسيار مشكل است. القاگرهاي ساخته شده به صورت خط ميكرو استريپ خم شده داراي ظرفيت كمي هستند و القاگرهاي ساخته شده به صورت خط Coplanar تلفات زيادي را در بستر نيمه هادي ايجاد مي كنند.

موارد یافت شده: 2