در اين اختراع، با پوشش دهي مدار الكترونيكي به روش رسوب دهي الكتريكي مس در محلول سولفات مس (0/6 mol/lit) اسيد سولفوريك (1/8mol/lit) با استفاده از جريان مستقيم (با افزودني كلريد پتاسيم (KC1) به ميزان5×10-4mol/lit و 9×10-4mol/lit و بدون افزودني و جريان پالسي با=1 ms و ton و toff=4ms جلويگري از اتصال كوتاه صورت گرفت. براي رسوب دهي الكتريكي در جريان مستقيم از دانسيته جريان هاي 100mA/cm2 - و5 و براي رسوب دهي الكتريكي با جريان پالسي از دانسيته جريان هاي 150mA/cm2 - و 5 استفاده شد. مشاهده شد كه با پوشش دهي، به علت تغيير مورفولوژي سطحي، سرعت رشد دندريت ها كه باعث اتصال كوتاه مي شوند كاهش مي يابد. اني امر سب 5 برابر شدن زمان اتصال كوتاه نسبت به حالت بدون پوشش مي شود. بيشترين تاثير مثبت در بين پوشش ها، مربوط به پوشش هاي ايجاد دشه به روش جريان پالسي و پوشش ايجاد شده در محلول حاوي mol/lit 10-4* و9 كلريد پتاسيم در دانسيته جريان 5mA/cm2 است. افزايش نرخ جوانه زني دندريت ها در آزمون هاي ولتامتري سيكلي و پتانسيواستات كه سبب افزايش زمان اتصال كوتاه مي شود. با استفاده از تصاوير ميكروسكوپي الكتروني روبشي مشاهده شد. اين روش كم هزينه بوده و كارايي بالايي در جلوگيري از رشد دندريتي و اتصال كوتاه دارد.