خلاصه اختراع :

به لایه های با ضخامت كمتر از 1000nm لایه نازك اطلاق می شود ذخیره اطلاعات بر روی لایه های نازك مغناطیسی تكنولوژی نسبتا جدیدی است كه امكان ذخیره حجم بالاتری از اطلاعات را با هزینه كمتر فراهم می آورد. هگزا فریبت باریم BaFe12o19 BaM in short به دلیل دارا بودن ناهمسانگردی مغناطیسی بالا ، پایداری شیمیایی و مكانیكی و همچنین خواص مغناطیسی سخت از جمله گزینه های مناسب برای محیط های ذخیره اطلاعات با دانسیته ذخیره اطلاعات بالا است. در محیط های ذخیره اطلعات با دانسیته ذخیره اطلاعات بالا باید هم پسماند زدایی مغناطیسی باید بالاتر از 3koe باشد و هم بیت های اطلاعاتی به شكل عمود بر سطح دیسك ذخیره شوند. بنابراین تولید لایه های نازك مغناطیسی با ساختار نانومتری افزایش دانسیته اطلاعات را به دنبال خواهد داشت. برای اولین بار طی یك فرایند تركیبی با قابلیت تولید نیمه صنعتی و ارزان موفق به تولید لایه های نازك هگزافریت باریم با خواص مغناطیسی مورد نظر شدیم به طوری كه خلوص بالاتر، كنترل دقیق بر روی تركیب شیمیایی صرفه اقتصادی و تجهیزات ساده مورد نیاز از جمله مزایای این روش هستند. این فرایند تركیبی شامل 5 مرحله است و نمونه های تولید شده به این روش با دستگاه هوای آنالیز مورد بررسی قرار گرفتند و دستیابی به خواص مورد نظر مورد تایید قرار گرفت.