خلاصه اختراع :

ایجاد لایه ای از نانو لوله های كربنی مرتب شده (داری نظم عمودی) بر سطوح گوناگن دارای كاربردهای فراوانی می باشد كه از مهمترین آنها می توان به كاربرد در فرایندهای غشایی كاربرد در میكروالكترونیك كاربرد در ساخت نمایشگرهای صفحه مسطح و ... اشاره كرد. اگر لایه ای از نانو لوله های مرتب شده (دارای نظم عمودی) بر سطوح یك پایه متخلخل رشد داده شود محصول قابلیت كاربرد به عنوان غشا را در بسیاری از فرایندهای جدید جداسازی داراست. در این اختراع امكان پذیری رشد لایه ای از نانو لوله های كربنی منظم بر سطح پایه درشت حفره آلفا آلومینا با به كارگیری فرایند پیرولیز حرارتی مورد تحقیق و بررسی قرار گرفته است. پیرولیز حرارتی روشی مبتنی بر فرایند CVD است و شامل تبخیر هم زمان و پیرولیز منبع كربنی و كاتالیزور در محیط یك گاز بی اثر می باشد. در این اختراع سیكلو هگزانول فروسن و گاز نیتروژن به ترتیب به عنوان منبع كربنی كاتالیزور و گاز حامل مورد استفاده قرار گرفته است همچنین به وسیله ارزیابی ساختاری نمونه هابا كمك عكس های SEM و TEM تاثیر پارامترهای آزمایشگاهی از قبیل زمان واكنش غلظت كاتالیزور در منبع كربنی شدت جریان گاز حامل فشار و دمای راكتور بر فرایند رشد و ویژگی های نانو لوله های كربنی مورد تحقیق و بررسی قرار گرفته است.