خلاصه اختراع :

به وسیله دستگاه ارائه شده كنونی اندازه گیری سطح انرژی كوازی نیمه رساناها كه در PH مشخص برابر سطح رسانش نیمه رساناها می باشد به خوبی تسهیل شده است و در كمترین زمان ممكن می توان با اطلاعات مفبد با استفاده از تجهیزات و مواد ارزان دست یافت. اندازه گیری سطوح انرژی نیمه رساناها با چند روش قابل انجام است كه نیاز به دستگاه های بسیار گران قیمت و روشهای پیچیده داشته و تكرار پذیری آنها نیز با خطا همراه می باشد. در روش كنونی از ترفند تغییر سطح فرمی نیمه رسانا با استفاده از تغییر PH محیط استفاده شده است. سطح فرمی نیمه رسانا با تغییر PH و با تابش نور به سطح اكسایش - كاهشی گونه موجود در محیط می رسد. با استفاده از PH این نقطه و نیز یك سری معادلات سطح انرژی كوازی فرمی در نیمه رسانا بدست آید. این روش نسبت به دیگر روشها بسیار آسان است. بحث نیمه رساناها به ویژه در حوزه نانو تكنولوژی در جهان بسیار حائز اهمیت است به طوری كه در ده ساله اخیر به صورت باور نكردنی شاهد رشد بسیار زیاد در این زمینه از علم بوده ایم. از چندین سال قبل توجه به این مووع در كشور جمهوری اسلامی ایران افزایش یافته و شاهد افزایش گروه های تحقیقاتی فعال در این زمینه می باشیم. با توجه به این كه سطح رسانش در نیمه رساناها یك خاصیت مهم برای مطالعه آنهاست. با استفاده از دستگاه ساخته شده كنونی می توان كمك شایان توجهی در زمینه تحقیقات كشور به عمل آورد. و نیاز گروه های تحقیقاتی كشور را در استفاده از دستگاه های كشورهای دیگر مرتفع نمود.