سنتز نانو ذرات اكسید آهن با پوشش پلیمری توسط فناوری فوق بحرانی

خلاصه اختراع :

هدف این پژوهش،سنتز ریزترین ذرات پارامغناطیسی ممكن و امكان پذیر بودن استفاده از فرآیند ترسیب ضد حلال فوق بحرانی در بررسی اثر آن بر روی اندازه ذرات مغناطیسی پوشش یافته با پلیمر می باشد. نانو ذرات پارامغناطیس كاربردهای فراوانی در صنایع مختلف به خصوص دارورسانی هوشمند دارند، چرا كه با كمك میدان مغناطیسی میتوان این ذرات را به ناحیه ی خاصی در بدن رساند و با پوشش دهی پلیمری آنها میتوان دارو درون آن تزریق كرد و با توجه به تجزیه تدریجی پلیمر در بدن، دارو نیز به تدریج و با غلظت مشخص در بدن آزاد می شود. برای تولید نانو ذرات مغناطیسی، از روش ترسیب استفاده و پارامترهای موثر بر اندازه ذرات بررسی شد. برای ایجاد پوشش پلیمری از سیال فوق بحرانی به عنوان ضد حلال استفاده گردید. اثر پارامترهای مختلف مانند دما، pH و افزودن سورفكتانت در سنتز نانوذرات مغناطیسی و اثر دما، فشار و درصد وزنی پلیمر در فرآیند پوشش دهی مورد بررسی قرار گرفتند. در نهایت در شرایط بهینه سنتز ذرات و پوشش دهی، ذرات 1/1نانومتری ذرات مغناطیسی در دمای 70درجه سلسیوس، pH بین 5/5 و 7 و بدون عامل فعال سطحی سنتز شد. همچنین ذرات مگنتایت با پوشش كایتوسان در اندازه 3/2 نانومتر در فشار80 بار، دمای 80 درجه سلسیوس و 5 درصد وزنی پلیمر تولید گردید.