لیست اختراعات رحيم فائز


ثبت :
از
تا
اظهارنامه :
از
تا

بازنشانی
تعداد موارد یافت شده: 2
تاریخ اظهارنامه: 1395/05/02
تاریخ ثبت: 1395/05/02
خلاصه اختراع:

ترانزيستور تونلي با عايق گيت اكسيد هافنيوم ناخالص‎شده با سيليكان يك ترانزيستور تونلي فركانس بالاي جديد است كه در آن ساختار پشته گيت به صورت پالي سيليكان / اكسيد هافنيوم ناخالص‎شده با سيليكان / اكسيد واسط / كانال است. كوچك‎سازي ابعاد ترانزيستورها يكي از مهمترين عوامل در پيشرفت نسل‎هاي مختلف فناوري ترانزيستور مكمل نيمه هادي-اكسيد-فلز است. استفاده از فروالكتريك اكسيد هافنيوم ناخالص‎شده با سيليكان به جاي فروالكتريك‎هاي پروسكايت متداول مثل تيتانات زيركونات سرب يا تانتاليت بيسموت استرانسيوم در ترانزيستور تونلي ، علاوه بر سازگاري با فرآيند متداول ترانزيستور مكمل نيمه هادي-اكسيد-فلز سبب بهبود كوچك‎سازي ترانزيستور مي‎شود. از سوي ديگر ترانزيستور تونلي با عايق گيت اكسيد هافنيوم ناخالص‎شده با سيليكان با افزايش ولتاژ گيت اعمالي روي سطح كانال سبب افزايش ميدان الكتريكي در ناحيه تونل‎زني مي‎شود. بنابراين در مقايسه با ترانزيستور تونلي متداول، افزايش قابل توجهي در ترارسانايي و شيب زير آستانه نشان مي‎دهد كه مي‎تواند جايگزين مناسبي براي ترانزيستور تونلي متداول براي كاربردهاي كليدزني باشد.

تاریخ اظهارنامه: 1395/05/03
تاریخ ثبت: 1395/05/03
خلاصه اختراع:

براي اولين بار يك فرايند استخراج مشخصه انتقالي به صورت سه بعدي براي ترانزيستورهاي تونلي سه گيتي با استفاده از روش جمع وزندار بدست آورديم. توزيع پتانسيل سه بعدي ترانزيستور تونلي سه گيتي به صورت جمع وزندار توزيع پتانسيل‎هاي دو ترانزيستور مستقل متقارن و نامتقارن استخراج شده است. فرايند استخراج ارائه شده تطابق بسيار خوبي با نتايج شبيه‎سازي سه‎بعدي كه با داده‎هاي عملي كاليبره شده را دارد كه نشان ‎دهنده‎ي صحت و قابل اعتماد بودن اين فرايند استخراج را بدون هيچ گونه بهينه‎سازي نشان مي‎دهد.

موارد یافت شده: 2