امروزه پروسه اي كه جهت ساخت ترانزيستورهاي اثر ميداني مورد استفاده قرار مي گيرد اگرچه جا افتاده است اما معمولا بسيار پيچيده و تركيبي است. براي ساخت يك مدار مجتمع مراحل بسيار متفاوتي بايد طي گردد و تمامي اين مراحل بايد با يكديگر هماهنگي و تطابق داشته باشند، تك تك مراحل تنها در شرايط خاص و با قرار گرفتن در ترتيب زماني برنامه ريزي شده مي توانند به اجرا دربيابند. در تكنولوژي امروز كه براي ترانزيستورهاي با طول گيت پايين تر از 100 نانومتر طراحي شده است بيشتر از 20 مرحله اصلي و چيزي حدود 50 تا 60 مرحله كلي (از زماني كه ويفر آماده پرداخت و تميز گشته تا زماني كه لايه محافظت كننده مدار مجتمع قرار داده شده است) تعبيه گرديده و در نهايت بين 8 تا 11 لايه فلزي براي اتصال قسمت هاي مختلف مدار به كار رفته است. به جهت پيچيدگي فوق العاده چنين مراحل توليدي، در مرحله اول روندي ساده شده براي ساخت تك ترانزيستور مجزا آن هم از نوع n-MESFET در نظر گرفته شد. پروسه اجرا شده به ترتيب شامل مراحل: 1-انتخاب ويفر، 2- تميز كاري، 3- لايه نشاني عايق، 4- ليتوگرافي (انتخاب الگو، رزيت نشاني، نوردهي و ظهور، 5- باز كردن پنجره هاي لايه نشاني (تعريف نواحي گيت، سورس و درين)، 6- لايه نشاني فلز Pt و شبه فلز ITO، 7- سيم بندي، 8- تست است.

امروزه پروسه اي كه جهت ساخت ترانزيستورهاي اثر ميداني مورد استفاده قرار مي گيرد اگر چه جا افتاده است اما معمولا بسيار پيچيده و تركيبي است براي ساخت يك مدار مجتمع مراحل بسيار متفاوتي بايد طي گردد و تمامي اين مراحل بايد با يكديگر هماهنگي و تطابق داشته باشند. تك تك مراحل تنها در شرايط خاص و با قرار گرفتن در ترتيب زماني برنامه ريزي شده مي توانند به اجرا در بيايند. در تكنولوژي امروز كه براي ترانزيستورهاي با طول گيت پايين تر از 100 نانومتر طراحي شده است بيشتر از 20 مرحله اصلي و چيزي حدود 50 تا 60 مرحله كلي از زماني كه ويفر آماده پرداخت و تميز گشته تا زماني كه لايه محافظت كننده مدار مجتمع قرار داده شده است تعبيه گرديده و در نهايت بين 8 تا 11 لايه فلزي براي اتصال قسمت هاي مختلف مدار به كار رفته است. به جهت پيچيدگي فوق العاده چنين مراحل توليدي در مرحله اول روندي ساده شده براي ساخت تك ترانزيستور مجزا آن هم از نوع N-MESFET در نظر گرفته شد.