ايجاد پوشش نانوساختار تانتالوم با استفاده از فرايند رسوب شيميايي از فاز بخار به كمك پلاسما با جريان پالسي مستقيم (Pulsed-DC-PACVD) براي اولين بار در اين اختراع انجام گرفته است. پلاسما را مي-توان با استفاده از منابع تغذيه مختلف اعم از AC، DC، Radio-Frequency(RF)¬ AC و Pulsed-DC ايجاد نمود. در ميان اينها روش RF-PACVD توفيقاتي در¬خصوص اعمال پوشش¬هايي با كيفيت و خلوص مناسب داشته است. با¬اين¬وجود اين روش نرخ رسوب بالايي نداشته (درحدود200-nm/hr300 براي تانتالوم) و به لحاظ يكنواختي پوشش برروي قطعاتي با شكل هندسي پيچيده كارايي مطلوبي ندارد. از سوي ديگر تجهيزات سخت افزاري مبتني بر RF نسبتا پيچيده است؛ اين امر بروزرساني و استفاده از آن در صنعت را به لحاظ اقتصادي توجيه¬ناپذير ساخته است. در مقابل روش Pulsed-DC-PACVD ضمن برخورداري از تجهيزات نسبتا ساده و ارزان، قادر به ايجاد پلاسمايي مناسب براي پوشش¬دهي در دماي نسبتا پايين (زيرC˚500) و با نرخ رسوبي در حدود1-μ/hr3 مي¬باشد كه بصورت يكنواخت¬ قطعاتي با هر شكل هندسي را پوشش¬دهي مي¬كند. همچنين سهولت تجهيز و بروزرساني سخت افزار آن به لحاظ اقتصادي منجر به ايجاد جذابيت بيشتر براي مصارف صنعتي شده¬است. لذا دانش اعمال پوشش¬ نانوساختار تانتالوم با اين روش مي¬تواند زمينه¬ساز گسترش كاربردهاي صنعتي آن در الكترونيك، نفت و پزشكي گردد.

در اين اختراع، پوشش نانوساختار نيتريد تانتالوم با استفاده از فرايند رسوب گذاري شيميايي از فاز بخار به كمك پلاسما با بهره گيري از جريان پالسي مستقيم بر روي قطعات صنعتي ايجاد شده است. براي دست يابي به خواص مطلوب پوشش، قبل از عمليات لايه نشاني، بستر آزمايش با تركيب گازي مناسب از آرگون، نيتروژن و هيدروژن مورد عمليات پيش كندوپاش پلاسمايي قرار مي گيرد. براي ايجاد پوشش در اين اختراع، علاوه برگازهاي ورودي (هيدروژن، آرگون و نيتروژن) از بخار تانتالوم كلرايد بعنوان پيش ماده تانتالوم استفاده مي شود. در اين فرايند بعد از ايجاد پلاسما انتظار مي رود كه مواد اوليه موجود در محفظه تجزيه شده و يون هاي موردنظر بر روي كاتد (كه محل قرارگيري قطعه مي باشد) قرار گرفته و پوشش نانو ساختار نيتريد تانتالوم بر روي سطح راسب گردد. در اين اختراع متغيرها و شرايط اجرايي فرايند رسوب شيميايي تركيب نيتريد تانتالوم با نسبت استوكيومتري 1:1 با نرخ رسوب مناسب و در دماي پايين ارائه شده است.