در اين اختراع، نانوساختارهاي نيتريد گاليم با استفاده از فرايند رسوب گذاري شيميايي از فاز بخار با كمك از پلاسما (PECVD) بر روي زيرلايه‌هاي سيليكون و كوارتز سنتز و لايه نشاني شد. براي دست يابي به خواص مطلوب اپتيكي و مي‌بايست آلودگي و ناخالصي حداقل مقدار باشد. به همين دليل قبل از عمليات لايه نشاني، زيرلايه‌ي سيليكون به روش RCA وكوارتز با استون تميز شدند و محفظه لوله كوارتز نيز با تركيب گازي مناسب از نيتروژن، هيدروژن و آرگون مورد عمليات پلاسمايي قرار گرفت. براي سنتز نانوساختار از فلز خالص گاليم و پلاسماي نيتروژن استفاده شد. براي فرايند احيا، گاز هيدروژن مورد استفاده قرار گرفت. از گاز آرگون نيز به عنوان گاز حامل اتم فلز گاليم استفاده شد. در اين فرايند بعد از ايجاد پلاسما انتظار مي رود كه مواد اوليه موجود در محفظه تجزيه شده و يون هاي موردنظر بعد از واكنش و ايجاد تركيب نيتريد گاليم بر روي كاتد (كه محل قرارگيري زير لايه مي باشد) قرار گيرند. با گذشت زمان مشخص انتظار مي‌رود نانوساختارهاي نيتريد گاليم روي زير لايه‌ها تشكيل شود. در اين اختراع زمان فرايند تميزكاري حداكثر تا يك ساعت، زمان ايجاد نانوساختار بين 0/5 تا 5 ساعت مي باشد. همچنين چرخه كار اعمال شده بين 20 تا 80 درصد، دماي لايه نشاني بين 450 تا 800 درجه سانتيگراد، فركانس بين 6 تا 12 كيلوهرتز، فشار كل 0/01 تا 10 تور، نسبت گاز نيتروژن به كل از 0/5 تا 0/98، سرعت گرم شدن كوره از 5 تا 60 درجه سانتيگراد بر دقيقه مي باشد. در نهايت اندازه دانه بندي نانوذرات بدست آمده بين 20 تا 98 نانومتر و قطر نانوسيم ها از 2 تا 60 نانومتر است.