اين اختراع روشي است براي توليد نانوساختارهاي نيمه هادي به روشي ارزان، آسان و سريع و با قابليت انطباق با فرآيندهاي ساخت هرگونه ادوات الكترونيكي حوزه نانوتكنولوژي. در اين روش به كمك نانوذرات فلزي سيليكون به اشكال و الگوهاي مختلفي سونيده مي شود. اين ايده توان توليد نانوحفره ها، نانوسيم ها، نانوساختار متخلخل از جنس سييكون در مقياس انبوه داراست. و همچنين مي توان از آن به عنوان روشي جهت سونش كاملا عمودي سيليكون با aspect ratio بالا استفاده برد. كاربرهاي متنوعي براي اين اختراع مي توان متصور بود كه همگي آن ها به حوزه نانوتكنولوژي بازمي-گردد. سلول هاي خورشيدي، فوتونيك، اپتيك غيرخطي، نانوبيوتكنولوژي، نانوالكترونيك، MEMS و ادوات فركانس بالا حوزه هاي اصلي كاربرد اين نانوساختارهاي سيليكوني هستند.

ميكروماشينكاري عمودي و عميق سيليكون به روش سونش شيميايي با كاتاليست فلزي، حوزه جديدي در صنعت ميكروالكترونيك و تكنولوژي MEMS گشوده است. اين روش سونش سيليكون، يك روش سونش غير همسانگرد است؛ بطوريكه با كنترل پارامترهاي سونش، مي توان سيليكون را بصورت عميق و عمودي سونش كرد. در اينجا با استفاده از طلا بعنوان كاتاليست و فوتورزسيت بعنوان لايه ماسك براي سونش، به عمق سونش 60um براي ابعاد 2 ميكروني دست يافته شد. عموماً از دستگاه هاي سونش خشك براي اين منظور استفاده مي شود كه بسيار گران قيمت بوده و براي ويفرهاي بزرگ نيز قابل استفاده نيستند. نتايج بدست آمده نشان مي دهد كه روش پيشنهاد شده، تنها روش قابل مقايسه با روش هاي مرسوم سونش خشك در سرعت سونش، نسبت ابعاد، عمود بودن و صافي ديواره ها است؛ در عين حال بسيار مقرون به صرفه بوده و قابليت استفاده براي ويفرهاي بزرگ را نيز دارا است. كاربرهاي متنوعي براي اين اختراع مي توان متصور بود، كه به حوزه هاي تكنولوژي سنسور، خودروسازي، صنايع موشكي و فضايي، پزشكي، سلول هاي خورشيدي نيمه هادي و ميكروالكترونيك فركانس بالا، ارجاع پيدا مي كند.