خلاصه اختراع :

این اختراع روشی است برای تولید نانوساختارهای نیمه هادی به روشی ارزان، آسان و سریع و با قابلیت انطباق با فرآیندهای ساخت هرگونه ادوات الكترونیكی حوزه نانوتكنولوژی. در این روش به كمك نانوذرات فلزی سیلیكون به اشكال و الگوهای مختلفی سونیده می شود. این ایده توان تولید نانوحفره ها، نانوسیم ها، نانوساختار متخلخل از جنس سییكون در مقیاس انبوه داراست. و همچنین می توان از آن به عنوان روشی جهت سونش كاملا عمودی سیلیكون با aspect ratio بالا استفاده برد. كاربرهای متنوعی برای این اختراع می توان متصور بود كه همگی آن ها به حوزه نانوتكنولوژی بازمی-گردد. سلول های خورشیدی، فوتونیك، اپتیك غیرخطی، نانوبیوتكنولوژی، نانوالكترونیك، MEMS و ادوات فركانس بالا حوزه های اصلی كاربرد این نانوساختارهای سیلیكونی هستند.