لیست اختراعات با مالکیت
حسن غفوري فرد
3 عدد
با استفاده از روش لايه نشاني بخار شيميايي پلاسماي افزوده دما پائين، نانولولههاي كربني چند جداره بر روي زير لايه شيشه پوشش دادهشده به ترتيب با ITO و نيكل (كاتاليست فلزي) به ضخامتهاي 250-150 نانومتر و 10 نانومتر رشد داده ميشوند. در مرحلهاي پيش از قرارگيري شيشه در سامانه رشد، لايه نيكل توسط نقش نگاري نوري به جهت افزايش سطح تماس نانولوله هاي كربني الگودهي ميشود. كيفيت نانولولههاي كربني رشد دادهشده توسط ميكروسكوپ الكتروني روبشي موردبررسي قرار گرفت. و از آزمونهاي مختلف جهت تحقيق مشخصات و قابليتهاي حسگر استفاده شد. نتايج حاكي از دقت بالاي ساختار ارائهشده در شناسايي فشار و دما و نوع گازها است.
با استفاده از روش لايه نشاني بخار شيميايي پلاسماي افزوده دما پائين، نانولولههاي كربني چند جداره بر روي زير لايه شيشه پوشش دادهشده به ترتيب با ITO و نيكل (كاتاليست فلزي) به ضخامتهاي 250-150 نانومتر و 10 نانومتر رشد داده ميشوند. در مرحلهاي پيش از قرارگيري شيشه در سامانه رشد، لايه نيكل توسط نقش نگاري نوري به جهت افزايش سطح تماس نانولوله¬هاي كربني الگودهي ميشود. كيفيت نانولولههاي كربني رشد دادهشده توسط ميكروسكوپ الكتروني روبشي موردبررسي قرار گرفت. و از آزمونهاي مختلف جهت تحقيق مشخصات و قابليتهاي حسگر استفاده شد. نتايج حاكي از دقت بالاي ساختار ارائهشده در شناسايي فشار و دما و نوع گازها است.
در طرح ارائه شده براي اولين بار دنيا با قرار دادن يك خازن كه فركانس سوييچ يا ديوتي سايكل آن با توجه به ولتاژ خطاي حاصله از بار خروجي تغيير ميكند از طريق حلقه فيدبك، يك مبدل ولتاژ به روش خازن شونده سري ساخته شده است كه در آن بدون استفاده از سلف عمل تبديل سطح ولتاژ انجام ميگيرد، با توجه به آنكه ساخت سلف بصورت مجتمع با مشكلات عديدهاي از جمله مساحت اشغالي زياد مواجه است با استفاده از اين مبدل ميتواند مساحت و اندازه را بصورت قابل توجهي كاهش داد.
موارد یافت شده: 3