نوشتن در ابعاد نانو از جمله دست‌آوردهاي بسيار ارزشمند است. دراين اختراع با بهره‌گيري از تكنيك نوشتن مستقيم و ميكروسوزن به تك نانوفيبر پليمري قرار گرفته شده به صورت كنترل شده و مطابق هدف مورد نظر برروي بستر دست يافته شد. تكنيك نوشتن به صورت مستقيم براي پرينت كردن نانوفيبرها در سطح بزرگ با يك روش كنترل شده و پيوسته و مستقيم به كار برده مي‌شود كه اين روش از تركيب روش‌هاي ليتوگرافي بر پايه‌ي نوشتن، چاپ بر پايه‌ي تزريق و الكتروريسي با به كار بردن الكتروريسي قابل كنترل براي پرينت فيبرهايي با ابعاد نانو كاربرد دارد و مي‌تواند بر ليتوگرافي پرتو الكتروني كه آرام و پيچيده و گران است غلبه كند. از آن‌جا كه در اين روش مايع با فشار خارج نمي‌شود و با استفاده از اعمال ولتاژ جتوار به بيرون كشيده مي‌شود، پس ابعاد نانومتري از فيبرها به دست مي‌آيد. در روش الكتروريسي معمولي الگوهاي منظمي وجود ندارد و نمي‌توان ابزارهاي الگودهي شده را با استفاده از آن‌ها ايجاد كرد. تكنيك نوشتن مستقيم با تنظيم فاصله‌ي الكتروريسي، حركت جمع‌كننده و ولتاژ به دست مي‌آيد. خواصي هم‌چون نسبت سطح به حجم بالا و انعطاف‌پذيري بالا با كاهش قطر تك نانوفيبر از ميكرومتر به نانومتر بوجود مي‌آيد. به همين منظور به بررسي عوامل مؤثر بر كاهش قطر نانوفيبر پرداخته مي‌شود كه اين عوامل شامل عوامل فرآيند، محيطي و محلول است. با توجه به محدوديت‌هاي موجود در تغيير پارامترهايي هم‌چون غلظت، فاصله‌ي الكتروريسي، نرخ تزريق محلول پليمري و ولتاژ براي ايجاد تك فيبر با قطر پايين پارامتر ديگري مورد بررسي قرار گرفت كه اين پارامتر فرآيند قطر روزنه‌ي نازل است. از آن‌جايي كه توليد الياف با قطر پايين در حدنانومتر با قطر كم روزنه امكان پذير است. به همين منظور از ميكروسوزن به قطر روزنه‌ي 40µm ساخته شده با به كارگيري تكنولوژي ممز بهره برده شد. با استفاده از SEM تك نانوفيبرحاصل از تكنيك نوشتن مستقيم توسط ميكروسوزن‌ها نشان داده مي‌شود.

فشارسنج ها يكي از تجهيزات جانبي دستگاه هاي موجود در خط توليد ادوات الكترونيكي است. خلا سنج ها براي اندازه گيري محدوده فشاري زير 1 اتمسفر استفاده مي شوند. از مدل هاي مختلف اين فشارسنج ها براي اندازه گيري بازه هاي مختلف فشار استفاده مي شود. يكي از اين بازه ها فشارهاي بين 1 اتمسفر تا 1 ميلي تور است. مكانيزم هاي مختلفي براي اندازه گيري اين بازه از فشارها وجود دارد كه يكي از آنها، روش الكتروستاتيكي است كه با استفاده از اندازه گيري تغييرات خازن ها انجام مي شود. روش خازني به علت ساختار غشاء استفاده شده در اين گونه فشارسنج ها، اشكالاتي دارد كه طرح بكارگرفته در اين دستگاه اين مشكل را تا حد خوبي كاهش داده است.

\\\\\\"دستگاه تطبيق ماسك\\\\\\" براي تطبيق دادن ماسكها در مراحل مختلف ساخت ادوات MEMS يا نيمه هادي بكار مي¬رود. براي ساخت ادوات نيمه هادي يا ادوات MEMS نياز است تا نقش هاي مختلفي را بر روي ويفر به كرات ايجاد كرد. بعنوان مثال در پروسه ساخت غالب ادوات MEMS به بيش از 8 عدد ماسك نياز است. اين ماسكها در مراحل مختلفي بايد بر روي ويفر قرار گيرند. براي توليد محصولي كه بدرستي كار كند، لازم است محل ماسكها با دقت حدود چند ميكرون تنظيم شود. به كمك دستگاه تطبيق ماسك مي توان ماسكها را در مراحل مختلف ساخت ادوات نيمه هادي، بر روي يكديگر انطباق داد.

با استفاده از روش لايه نشاني بخار شيميايي پلاسماي افزوده دما پائين، نانولوله‌هاي كربني چند جداره بر روي زير لايه شيشه پوشش داده‌شده به ترتيب با ITO و نيكل (كاتاليست فلزي) به ضخامت‌هاي 250-150 نانومتر و 10 نانومتر رشد داده مي‌شوند. در مرحله‌اي پيش از قرارگيري شيشه در سامانه رشد، لايه نيكل توسط نقش نگاري نوري به جهت افزايش سطح تماس نانولوله هاي كربني الگودهي مي‌شود. كيفيت نانولوله‌هاي كربني رشد داده‌شده توسط ميكروسكوپ الكتروني روبشي موردبررسي قرار گرفت. و از آزمون‌هاي مختلف جهت تحقيق مشخصات و قابليت‌هاي حسگر استفاده شد. نتايج حاكي از دقت بالاي ساختار ارائه‌شده در شناسايي فشار و دما و نوع گازها است.

با استفاده از روش لايه نشاني بخار شيميايي پلاسماي افزوده دما پائين، نانولوله‌هاي كربني چند جداره بر روي زير لايه شيشه پوشش داده‌شده به ترتيب با ITO و نيكل (كاتاليست فلزي) به ضخامت‌هاي 250-150 نانومتر و 10 نانومتر رشد داده مي‌شوند. در مرحله‌اي پيش از قرارگيري شيشه در سامانه رشد، لايه نيكل توسط نقش نگاري نوري به جهت افزايش سطح تماس نانولوله¬هاي كربني الگودهي مي‌شود. كيفيت نانولوله‌هاي كربني رشد داده‌شده توسط ميكروسكوپ الكتروني روبشي موردبررسي قرار گرفت. و از آزمون‌هاي مختلف جهت تحقيق مشخصات و قابليت‌هاي حسگر استفاده شد. نتايج حاكي از دقت بالاي ساختار ارائه‌شده در شناسايي فشار و دما و نوع گازها است.