در اين اختراع، سوپرامولكول هاي الكترون دهنده-الكترون پذيرنده از طريق عاملدار كردن گرافن اكسيد احيا شده با 2-تيوفن استيك اسيد (rGO-f-TAA) و همچنين پيوند سطحي آن با پلي(3-دودسيل تيوفن) (rGO-g-PDDT) و پلي(3-تيوفن اتانول) (rGO-g-PTEt) ساخته شدند. اورينتيشن هاي متفاوتي نظير edge-on، face-on و flat-on براي زنجيرهاي فضاويژه ي پلي(3-هگزيل تيوفن) پترن شده بر روي سطوح گرافن كسيد احيا شده ي مختلف بدست آمد. با استفاده از آناليزهاي فتولومينسانس (PL) و فرابنش-مريي (UV-Vis) خاصيت الكترون دهندگي براي جزء پلي تيوفني و خاصيت الكترون پذيرندگي براي جزء كربني ديتكت شد. با افزايش مشخصه هايي نظير نظم ساختاري و تبادل الكتروني، پيك هاي ظاهر شده در طيف هاي PL كوئنچينگ و پيك هاي ظاهر شده در طيف هاي UV-Vis افزايش شدت و شيفت به سمت طول موج هاي بلندتر از خود نشان دادند. بهترين نتايج براي ساختارهاي هيبريدي بر پايه ي گرافن اكسيد احيا شده ي پيوند سطحي شده با پلي(3-دودسيل تيوفن) و پلي(3-تيوفن اتانول) با آرايش flat-on بدست آمد. ميزان رسانايي الكتريكي سوپرامولكول هاي ساخته شده در محدوده ي S/cm 7/10-8/3 قرار داشته است.