خلاصه اختراع :

كاتد كندوپاش با میدان مغناطیسی مهار شده از لحاظ كمی و كیفی نسبت به كاتد پیشین بهبود یافته است كاتد قبلی بعلت استفاده از چینش عمودی آهنرباها و مهار نشدن مگنترون آن، خطوط میدان مغناطیسی لازم برای عملكرد صحیح كاتد را ایجاد نمی كرد. همچنین مقدار القاء مغناطیسی پایین بود و بنابراین توان دستگاه و نرخ لایه نشانی در حد لازم نبود. مطالعه ی حركت ذرات باردار پلاسما در میدان های متعامد الكتریكی و مغناطیسی نشان می دهد كه، بردار سرعت ذرات باردار كه سرعت سوقی یا رانشی نامیده می شود با معادله ی ?? داده می شود كه بر هر دو این بردارها عمود است. بنابراین با توجه به اینكه در این سامانه، بردار میدان الكتریكی ؟ بر سطح هدف عمود است، میدان مغناطیسی ؟ باید موازی سطح كاتد باشد تا خوردگی سطح هدف یكنواخت باشد و هر چه عرض حوزه توازی بیشتر باشد بازده هدف بیشتر خواهد شد. در این اختراع ابتدا بوسیله نرم افزار رایانه ای، آرایش مناسب قطعات مگنترون و نیز مقدار القاء مغناطیسی بهینه تعیین و سپس كاتد جدید طراحی و ساخته شده است. آزمایش های متعدد افزایش كمیتهای مشخصه ی این اختراع را اثبات نموده است. این دستگاه برای اسخت لایه های نازك به ضخامت چند آنگستروم تا چندمیكرون كه كاربردهای زیادی در پژوهش و صنعت دارند مانند میكروالكترونیك، اپتیك، لیزر، فناوری نانو و ... بكار می رود.